一种便于光斑整形的高功率半导体激光器
授权
摘要
本实用新型公开一种便于光斑整形的高功率半导体激光器，包括激光芯片、基底热沉、过渡热沉和电极，所述激光芯片焊接设置于过渡热沉上，过渡热沉设置于基底热沉上方中部，基底热层位于过渡热沉的两侧位置开设溢槽，激光芯片通过金线引出到电极；所述的该半导体激光器解决了芯片封装、其他C‑mount封装结构的半导体激光器热沉导电存在的安全问题及其他加电安装问题，使得形成的半导体激光器封装结构简单、散热好、使用寿命长，实现高质量光斑输出。
基本信息
专利标题 ：
一种便于光斑整形的高功率半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922294886.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-19
授权号 ：
CN211151047U
授权日 ：
2020-07-31
发明人 ：
陆知纬刘菊霞王加朗李关
申请人 ：
无锡佶达德光电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区东北塘工业集中区石新路以东蓉强路以南
代理机构 ：
南京中律知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈振涛
优先权 ：
CN201922294886.6
主分类号 ：
H01S5/022
IPC分类号 ：
H01S5/022 H01S5/024
法律状态
2020-07-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
