一种提高掺铈闪烁晶体性能的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种提高掺铈闪烁晶体性能的装置，包括加热炉和坩埚，所述坩埚设置在加热炉炉膛内，所述加热炉炉膛内设置有加热装置，所述加热炉的外侧设置有第一进气管和排气管，所述加热炉的顶部设置有提拉旋转机构，所述加热炉的内腔设有保护罩，所述保护罩罩在坩埚上，且保护罩的顶部固定连接有立管，所述提拉旋转机构经过立管延伸到保护罩内，所述保护罩连通有第二进气管和出气管。本技术方案能够利用通入一定量的CO2气体，使得CO2在高温下热分解出O2，减少了晶体的氧空位，提高了晶格的完整性，提高掺铈闪烁晶体的性能，提高晶体性能的方法是在晶体生长过程中同步进行。
基本信息
专利标题 ：
一种提高掺铈闪烁晶体性能的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922372294.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-26
授权号 ：
CN212476944U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
李国铭刘冰边建盟张泽森程豪华赵杨王云云李俊谕
申请人 ：
三河晶丽方达科技有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市三河市燕郊开发区迎宾北路创业大厦B235室
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩亚伟
优先权 ：
CN201922372294.1
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/22
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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