一种用于制备高纯碳化硅粉料的反应器

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摘要

本申请涉及一种用于制备高纯碳化硅粉料的反应器，属于半导体材料制备领域。该用于制备高纯碳化硅粉料的反应器包括：坩埚，坩埚形成合成腔，合成腔包括原料区和位于原料区上方的合成区，原料区用于放置硅原料；石墨板组，石墨板组包括至少一个石墨板，石墨板组置于合成区，石墨板与硅原料之间设置间隙；加热炉，坩埚至于加热炉内，加热炉加热使得硅原料升华至与石墨板反应生成高纯碳化硅粉料。该用于制备高纯碳化硅粉料的反应器制得的高纯碳化硅粉料的纯度高；制得的碳化硅产品为颗粒状，不需要破碎/研磨后处理，防止了杂质的引入；且该反应器在制备高纯碳化硅粉料时不需要添加额外辅助剂维持合成反应的进行。

基本信息

专利标题：

一种用于制备高纯碳化硅粉料的反应器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922422102.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-26

授权号：

CN211620665U

授权日：

2020-10-02

发明人：

王超靳婉琪热尼亚柏文文

申请人：

山东天岳先进材料科技有限公司

申请人地址：

山东省济南市槐荫区天岳南路99号

代理机构：

北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

王宽

优先权：

CN201922422102.3

主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B29/36 C30B1/10