高双面率P型单晶硅双面电池结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种高双面率P型单晶硅双面电池结构，属于太阳能电池技术领域。包括P型硅衬底，所述的P型硅衬底正面设有电极，P型硅衬底背面设有铝栅线，P型硅衬底正面有里往外依次设有正面介质钝化层和正面氮化硅层，P型硅衬底背面有里往外依次设有背面介质钝化层和背面氮化硅层。本实用新大幅度降低背面反射率，解决了绒面结构钝化效果较差的问题，有效提高P型单晶双面电池的双面率，适用于产业化应用。
基本信息
专利标题 ：
高双面率P型单晶硅双面电池结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922453130.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN210837775U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
庄宇峰万义茂崔艳峰袁声召于元元胡玉婷
申请人 ：
东方日升（常州）新能源有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市金坛区直溪镇工业集中区水南路1号
代理机构 ：
浙江永鼎律师事务所
代理人 ：
郭小丽
优先权 ：
CN201922453130.1
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/0224 H01L31/0216
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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