一种半导体制冷器驱动电路

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摘要

本实用新型实施例提供的一种半导体制冷器驱动电路，包括：脉宽调制信号发生器、驱动芯片，MOS管，电感、二极管和半导体制冷器；所述驱动芯片输入端与所述脉宽调制信号发生器连接，所述驱动芯片的输出端连接所述MOS管的栅极；所述MOS管的源极与第一输入电源连接；所述MOS管的漏极同时与所述二极管的输入端及所述电感的输入端连接；所述半导体制冷器的第一引脚与所述电感的输出端连接，所述半导体制冷器的第二引脚与所述二极管的输出端连接。本实用新型实现了激光器温控系统驱动电路功耗的优化，提高了驱动电路的工作效率；相对于推挽式电路而言，结构更加简单，成本低。

基本信息

专利标题：

一种半导体制冷器驱动电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922486948.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-31

授权号：

CN211316640U

授权日：

2020-08-21

发明人：

洪汉润欧阳文裴盛涵毛山山

申请人：

武汉戴美激光科技有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖开发区汤逊湖北路武汉长城创新科技园1栋311、313、315室

代理机构：

北京众达德权知识产权代理有限公司

代理人：

詹守琴

优先权：

CN201922486948.3

主分类号：

F25B21/02

IPC分类号：

F25B21/02 F25B49/00 H01S5/024