磁记录介质用溅射靶
授权
摘要
为了进一步高容量化，提供能够制作提高单轴磁各向异性、降低晶粒间交换耦合、提高热稳定性和SNR(信噪比)的磁性薄膜的磁记录介质用溅射靶。一种磁记录介质用溅射靶，其包含由选自Cu和Ni中的至少一种以上、Pt、作为余量的Co和不可避免的杂质构成的金属相以及至少含有B2O3的氧化物相。
基本信息
专利标题 ：
磁记录介质用溅射靶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112106134A
申请号 ：
CN201980030501.5
公开（公告）日 ：
2020-12-18
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN112106134B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
镰田知成栉引了辅金光谭齐藤伸
申请人 ：
田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
盛曼
优先权 ：
CN201980030501.5
主分类号 ：
G11B5/851
IPC分类号 ：
G11B5/851 C23C14/34 G11B5/64 H01F1/047 H01F41/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/84
专用于制造记录载体的方法或设备
G11B5/851
用溅射法涂覆一带磁性层支承的
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-01-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11B 5/851
申请日 : 20190725
申请日 : 20190725
2020-12-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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