具有不均匀的纵向截面的用于半导体材料的外延反应器的反应室...
授权
摘要
反应室(100A)用于反应器，用于在基底(62)上沉积半导体材料；反应室沿纵向方向延伸，并包括沿该纵向延伸的反应和沉积区域(10)；该区域(10)由适于通过电磁感应加热的感受器元件(21A、21B、21C、22A、22B、31、32)限定；第一感受器元件(21A、21B、21C、22A、22B)与室的基底支撑元件(61)相对，并且具有孔(20)，该孔沿着其整个长度在纵向方向上延伸；第一感受器元件(21A、21B、21C、22A、22B)具有取决于其纵向位置的不均匀的横截面。
基本信息
专利标题 ：
具有不均匀的纵向截面的用于半导体材料的外延反应器的反应室及反应器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113195780A
申请号 ：
CN201980083556.2
公开（公告）日 ：
2021-07-30
申请日 ：
2019-10-17
授权号 ：
CN113195780B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
西尔维奥·佩雷蒂弗朗西斯科·科里亚毛里利奥·梅斯基亚
申请人 ：
洛佩诗公司
申请人地址 ：
意大利米兰巴兰扎泰
代理机构 ：
北京安信方达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张瑞
优先权 ：
CN201980083556.2
主分类号 ：
C23C14/54
IPC分类号 ：
C23C14/54 C30B23/06 C30B25/10 C23C16/46 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/54
镀覆工艺的控制或调节
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-10-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/54
申请日 : 20191017
申请日 : 20191017
2021-07-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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