一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘
授权
摘要
本发明公开了一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘。包括从上到下依次布置的固定层、流道层和分离式吸附层，固定层周围开设有四个沿圆周间隔分布的孔道，孔道作为气体入口连接气源；流道层包括分别上下布置的环状式流道层与扩散式流道层；分离式吸附层包括从外圈到内圈布置的外圈吸附层、环状导流板和内圈吸附层；硅片布置于分离式吸附层正下方，硅片和分离式吸附层之间具有吸附间隙，外部气体通过气泵输入经各层流入吸附间隙中，形成伯努利效应及气流层产生负压吸附硅片。本发明设计出层间狭小间隙，形成伯努利效应非接触环状吸附硅片，并侧面接触硅片辅助搬运，改善硅片吸附的受力均匀性，避免了硅片上下表面的接触性损伤，提高硅片质量。
基本信息
专利标题 ：
一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111162038A
申请号 ：
CN202010135795.2
公开（公告）日 ：
2020-05-15
申请日 ：
2020-03-02
授权号 ：
CN111162038B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
汪延成王世航梅德庆
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
林超
优先权 ：
CN202010135795.2
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2020-06-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20200302
申请日 : 20200302
2020-05-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111162038A.PDF
PDF下载
