一种提高钙钛矿薄膜稳定性的方法
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摘要
本发明涉及一种提高钙钛矿薄膜稳定性的方法,包括如下步骤:将表面含有钙钛矿薄膜的基片置于反应腔体,用惰性气体反复清洗反应腔体;向反应腔体内通入硫化氢气体使其与钙钛矿薄膜分子发生反应后在钙钛矿薄膜表面生成硫化物层;待反应结束后,用惰性气体反复清洗反应腔体,充气至常压,待反应腔体冷却后取出反应后的基片。本发明通过在钙钛矿薄膜材料的晶界与表面生成纳米级的硫化铅层,改变了钙钛矿材料表面及晶界处的化学组成,抑制钙钛矿的降解,从而提高钙钛矿薄膜材料的性能并延长其稳定性。
基本信息
专利标题 :
一种提高钙钛矿薄膜稳定性的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111435709A
申请号 :
CN202010136324.3
公开(公告)日 :
2020-07-21
申请日 :
2020-03-02
授权号 :
CN111435709B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
不公告发明人
申请人 :
杭州纤纳光电科技有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市余杭区仓前街道龙潭路7号B幢209室
代理机构 :
杭州奥创知识产权代理有限公司
代理人 :
杨文华
优先权 :
CN202010136324.3
主分类号 :
H01L51/48
IPC分类号 :
H01L51/48 H01L51/42
法律状态
2022-05-03 :
授权
2020-08-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/48
申请日 : 20200302
申请日 : 20200302
2020-07-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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