一种晶粒尺寸可控ITO陶瓷靶材的制备方法
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摘要
一种晶粒尺寸可控ITO陶瓷靶材的制备方法，包括：将质量份数为90～97的In2O3粉体和质量份数为10～3的SnO2粉体，与去离子水、稀释剂、粘结剂和高分子材料用砂磨机球磨混合，得到固含量在70～80％之间、粘度在120～300mpa.s之间的ITO陶瓷浆料，且混合粉体的平均粒径D50控制在100～300nm；ITO陶瓷浆料经压力注浆成形，得到相对密度为58～62％的ITO陶瓷生坯体；将ITO陶瓷生坯体放入脱脂烧结一体化炉，加热至脱脂温度700～800℃，将ITO陶瓷靶材在常压氧气氛中进行脱脂处理，时间设定为12～36小时；从脱脂温度升温到第一烧结温度1600～1650℃，常压氧气氛保温0～60min，随即降低到第二烧结温度1500～1540℃，常压氧气氛保温12～36小时，最终得到ITO陶瓷靶材。
基本信息
专利标题 ：
一种晶粒尺寸可控ITO陶瓷靶材的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111394706A
申请号 ：
CN202010150796.4
公开（公告）日 ：
2020-07-10
申请日 ：
2020-03-06
授权号 ：
CN111394706B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
何季麟孙本双舒永春刘洋陈杰曾学云
申请人 ：
郑州大学
申请人地址 ：
河南省郑州市科学大道100号
代理机构 ：
北京卫智畅科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱春野
优先权 ：
CN202010150796.4
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/08
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-08-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20200306
申请日 : 20200306
2020-07-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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