SRAM时序测试电路、方法和存储器
授权
摘要
本申请实施例提供一种SRAM时序测试电路、方法和存储器。SRAM时序测试电路包括第一模式切换电路和第二模式切换电路，在SRAM时序测试电路测量SRAM存储单元的数据读取时间时，利用SRAM存储单元的读数据信号输出端在连续输出“0”时产生的短时脉冲干扰现象，使读时钟信号输入端每隔一段时间就产生一个上升沿，从而使读数据信号输出端可以持续输出。SRAM存储单元和SRAM时序测试电路的组合可以产生稳定的可测量的振荡输出，SRAM时序测试电路可以单独产生稳定的可测量的振荡输出，从而根据两次振荡输出获得数据读取时间。
基本信息
专利标题 ：
SRAM时序测试电路、方法和存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111312323A
申请号 ：
CN202010168161.7
公开（公告）日 ：
2020-06-19
申请日 ：
2020-03-11
授权号 ：
CN111312323B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
徐柯王林陈根华
申请人 ：
展讯通信（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路2288弄展讯中心1号楼
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗英
优先权 ：
CN202010168161.7
主分类号 ：
G11C29/10
IPC分类号 ：
G11C29/10 G11C29/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/10
测试算法，例如，存储扫描算法；测试码形，例如棋盘码形
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-07-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/10
申请日 : 20200311
申请日 : 20200311
2020-06-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
