一种铅位掺杂甲胺铅碘单晶薄膜及其制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种铅位掺杂甲胺铅碘单晶薄膜及其制备方法，所述单晶薄膜以CH3NH3PbI3为母体，在铅位掺杂La，得到分子式为CH3NH3Pb1‑xLa2x/3I3(x=0.005‑0.19)的单晶薄膜，在铅位掺杂Sm，得到分子式为CH3NH3Pb1‑ySm2y/3I3(x=0.005‑0.19)的单晶薄膜，在铅位掺杂Pr，得到分子式为CH3NH3Pb1‑zPrzI3(z=0.005‑0.27)的单晶薄膜。本发明通过La、Sm、Pr元素的掺杂有效的提高了载流子的饱和极化强度、剩余极化强度、压电系数和迁移率，铅位取代较大地提高了其光电性能，且降低了重金属铅带来的毒性，该工艺简单，制备过程易于控制，重复性高。
基本信息
专利标题 ：
一种铅位掺杂甲胺铅碘单晶薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113584594A
申请号 ：
CN202010368474.7
公开（公告）日 ：
2021-11-02
申请日 ：
2020-04-30
授权号 ：
CN113584594B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
曾寿信赵泽恩袁国亮
申请人 ：
南京理工大学
申请人地址 ：
江苏省南京市孝陵卫200号
代理机构 ：
南京理工大学专利中心
代理人 ：
邹伟红
优先权 ：
CN202010368474.7
主分类号 ：
C30B29/54
IPC分类号 ：
C30B29/54 C30B19/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/54
有机化合物
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-11-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/54
申请日 : 20200430
申请日 : 20200430
2021-11-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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