公开了一种用于MEMS器件的空腔加工工艺，包括以下步骤：在衬底上沉积一层掩膜层；利用光刻蚀刻工艺将衬底上将要形成空腔的区域上的掩膜层蚀刻掉；借助APCVD热氧化工艺在将要形成空腔的区域进行蚀刻同时生长形成氧化物；利用湿法工艺将掩膜层去除；在衬底上制作覆盖氧化物的器件功能层后，将氧化物释放。还公开了一种体声波谐振器的制造工艺，采用上述空腔加工工艺在衬底中制造空腔，其中器件功能层为电极层和压电层。同时又公开了一种体声波谐振器，其采用上述工艺制造而成。利用上述工艺可以改善衬底表面粗糙度，并大幅提高产能，适于大批量生产。