一种有引线塑封芯片的高导热性塑封工艺
授权
摘要
本发明公开了一种有引线塑封芯片的高导热性塑封工艺,属于芯片塑封技术领域,可以实现在载体基板上设置与引线和芯片相对应的导热固定件,提高接线的稳定性,然后围绕芯片设置呼吸式相变导热件进行高效导热,并在外围设置环形的泡沫外框充当模具向其内注入塑封料进行塑封,完成后将载体基板剥离并对泡沫外框上的膨胀孔进行清孔,呼吸式相变导热件即可在芯片工作时利用导热相变的特点,形成流动性无空隙的高效导热,并基于热呼吸原理快速将热量散发至外界中,在常规状态下可以实现隔热使得芯片处于正常工作的温度范围内,避免外界低温带来的干扰,不仅可以提高对芯片和引线的塑封效果,同时具有优异的导热性满足高性能芯片的散热要求。
基本信息
专利标题 :
一种有引线塑封芯片的高导热性塑封工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111725079A
申请号 :
CN202010416622.8
公开(公告)日 :
2020-09-29
申请日 :
2020-05-18
授权号 :
CN111725079B
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
杨再西
申请人 :
杨再西
申请人地址 :
贵州省黔东南苗族侗族自治州三穗县瓦寨镇上街村75号
代理机构 :
新余市渝星知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
廖平
优先权 :
CN202010416622.8
主分类号 :
H01L21/50
IPC分类号 :
H01L21/50 H01L21/56 H01L23/31 H01L23/367 H01L23/427
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-04-08 :
授权
2022-03-22 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/50
登记生效日 : 20220310
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 杨再西
变更后权利人 : 东莞市科发盛实业有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 556500 贵州省黔东南苗族侗族自治州三穗县瓦寨镇上街村75号
变更后权利人 : 523000 广东省东莞市长安镇沙头南区合兴路73号
登记生效日 : 20220310
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 杨再西
变更后权利人 : 东莞市科发盛实业有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 556500 贵州省黔东南苗族侗族自治州三穗县瓦寨镇上街村75号
变更后权利人 : 523000 广东省东莞市长安镇沙头南区合兴路73号
2020-10-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20200518
申请日 : 20200518
2020-09-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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