一种窄带超表面器件

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摘要

本发明公开了一种窄带超表面器件，包括由上至下依次设置的凹槽天线超表面层、缓冲介质层、可调介质层组和基底层，可调介质层组包括可调介质层和设于其上下表面的透明电极层；凹槽天线超表面层包括凹槽天线超表面结构，该结构包括呈周期分布的超表面天线单元，超表面天线单元中设有凹槽，使超表面天线单元的开口率大于0.7；缓冲介质层和基底层的折射率均低于可调介质层的折射率。本发明器件的反射率曲线具有极窄的带宽，反射峰半高宽在2nm以内，同时该结构中可调介质层的变化可以改变反射率曲线的共振波长，使其在可见光范围或更大范围内变化，并保持超高的效率与极窄的带宽，可应用于光谱探测与光谱检查等领域。

基本信息

专利标题：

一种窄带超表面器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111610649A

申请号：

CN202010417638.0

公开（公告）日：

2020-09-01

申请日：

2020-05-19

授权号：

CN111610649B

授权日：

2022-04-12

发明人：

杨兰兰陈勇城屠彦王莉莉仲雪飞张宇宁

申请人：

东南大学

申请人地址：

江苏省南京市江宁区东南大学路2号

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

苏虹

优先权：

CN202010417638.0

主分类号：

G02F1/01

IPC分类号：

G02F1/01 G02B5/00