一种窄带隙半导体器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种具有高开关比的窄带隙半导体器件及其制作方法。该器件具有一支撑衬底，其上依次具有一窄带隙半导体层、一栅介质层和一栅极堆叠结构，栅极堆叠结构两侧具有一L形自对准侧墙，其水平部分与位于其下的栅介质层沿窄带隙半导体层所在平面分别向外侧的源极区和漏极区延伸一定长度。进一步在上述侧墙外侧的水平部分和上述窄带隙半导体层上沉积有金属，后者用作半导体器件的源极和漏极。该器件通过栅极自对准工艺形成侧墙，可以降低沟道与源漏极区接界处的电场强度，以此增加漏极端带间隧穿势垒的宽度，使得在大偏压下工作时能较好的抑制漏极端少子的反向隧穿，故能在保持窄带隙半导体器件高性能的同时增大开关比，并显著抑制双极性。
基本信息
专利标题 ：
一种窄带隙半导体器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429989A
申请号 ：
CN202011176009.X
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孟令款张志勇彭练矛
申请人 ：
北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请人地址 ：
北京市海淀区杏石口路80号益园B1栋
代理机构 ：
北京秉文同创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵星
优先权 ：
CN202011176009.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336 H01L29/423
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201029
申请日 : 20201029
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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