发光器件表面粗化的方法与发光器件
授权
摘要
一种发光器件表面粗化的方法及发光器件，属于半导体领域。表面粗化的方法包括如下步骤：在发光结构上制备三维岛状生长的第一外延层(S202b)；在所述第一外延层上制备不连续的第二外延层(S202c)。该表面粗化方法，方法简便，效率提升，在外延生长工艺之外，无需采用诸如湿法刻蚀、光子晶体等额外的工艺来对外延层表面进行进一步加工，可以在同一反应设备中通过一种工艺就可以实现。
基本信息
专利标题 ：
发光器件表面粗化的方法与发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111066158A
申请号 ：
CN201780094730.4
公开（公告）日 ：
2020-04-24
申请日 ：
2017-09-07
授权号 ：
CN111066158B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
张丽旸程凯
申请人 ：
苏州晶湛半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
代理机构 ：
北京布瑞知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟潭
优先权 ：
CN201780094730.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-05-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20170907
申请日 : 20170907
2020-04-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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