采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法，包括如下步骤：在衬底上依次外延生长氮化镓N型接触层、多量子阱有源区和氮化镓P型接触层；刻蚀露出氮化镓N型接触层；制作N接触电极；制作高反射P接触电极；在芯片表面沉积介质膜；在器件的整个表面蒸镀高反射率金属层；将衬底减薄；在衬底表面制作微透镜阵列；解理，形成单个芯片；在该支撑体上沉积介质膜，并制作N电极、P电极引线；在电极引线上制作压焊点；采用倒装焊技术将解理好的芯片与制作完电极、压焊点后的支撑体键合，完成发光二极管的制作。
基本信息
专利标题 ：
采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101043059A
申请号 ：
CN200610058414.5
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2006-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王良臣伊晓燕刘志强
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200610058414.5
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2009-06-03 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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