利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法
专利权的终止
摘要

一种利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法,包括如下步骤:1)在蓝宝石衬底上生长外延层结构;2)在外延层结构上刻蚀形成圆台;3)制作n型网状欧姆接触电极和电极焊点;4)在整个器件结构的上表面淀积二氧化硅或氮化硅绝缘层;5)将圆台上表面的绝缘层腐蚀掉;6)在整个器件结构的上表面除电极焊点外的其它区域淀积p型加厚高反射率金属电极;7)光刻腐蚀n电极焊点上面的绝缘层;8)将蓝宝石衬底的背面减薄,切割成单个管芯结构;9)在硅支撑体上的淀积介质层;10)将管芯结构通过凸点与硅支撑体倒装焊接;11)切割,形成发光二极管管芯。

基本信息
专利标题 :
利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101026204A
申请号 :
CN200610003199.9
公开(公告)日 :
2007-08-29
申请日 :
2006-02-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
郭金霞王良臣
申请人 :
中国科学院半导体研究所
申请人地址 :
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
汤保平
优先权 :
CN200610003199.9
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  
法律状态
2011-04-27 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101066491722
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100031999
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20100224
2009-04-15 :
授权
2007-10-24 :
实质审查的生效
2007-08-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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