大功率发光二极管封装结构
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种大功率发光二极管封装结构，包括一具有一支架的基座、至少一发光二极管芯片，一用于连接外电源的电连接装置，所述发光二极管芯片与该电连接装置电性连接，其特征在于：所述支架具有由第一凹陷部和第二凹陷部形成的阶梯形凹陷部，所述发光二极管芯片安装于所述阶梯形凹陷部之第一凹陷部的底面，所述发光二极管上表面与所述第二凹陷部的底面之间形成的上表面间隙内设有透光材料，所述透光材料上方的第二凹陷部内设有发光粉层。
基本信息
专利标题 ：
大功率发光二极管封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620048104.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-11-23
授权号 ：
CN200972865Y
授权日 ：
2007-11-07
发明人 ：
占贤武孟世界
申请人 ：
宁波安迪光电科技有限公司
申请人地址 ：
315400浙江省余姚市西南街道工业功能区
代理机构 ：
上海翼胜专利商标事务所
代理人 ：
翟羽
优先权 ：
CN200620048104.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L25/00 H01L25/075 H01L23/28 H01L23/12
法律状态
2012-02-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101180321096
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006200481040
申请日 : 20061123
授权公告日 : 20071107
终止日期 : 20101123
号牌文件序号 : 101180321096
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006200481040
申请日 : 20061123
授权公告日 : 20071107
终止日期 : 20101123
2007-11-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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