一种转移方法及设备
授权
摘要
本发明提供了一种转移方法及设备，包括：在第一暂态基板上涂覆阻光的第一粘附胶；在生长基底上涂覆第一负性光刻胶；以第一暂态基板作为掩膜板，对第一负性光刻胶进行曝光和显影；固化曝光后的第一负性光刻胶；将第一暂态基板贴合于生长基底上；将微型发光二极管转移至发光背板上。通过第一暂态基板上具有阻光性的第一粘附胶，曝光和显影第一负性光刻胶，利用不同厚度的第一粘附胶具有不同透光率的特性，在第一负性光刻胶上形成凹凸不平的表面，使得第一负性光刻胶和第一粘附胶厚度互补，以此控制光刻胶的厚度，从而使得在进行巨量转移的过程中，多个微型发光二极管之间能够保持高度一致，进而有效避免转移失败。
基本信息
专利标题 ：
一种转移方法及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112967961A
申请号 ：
CN202010467547.8
公开（公告）日 ：
2021-06-15
申请日 ：
2020-05-28
授权号 ：
CN112967961B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
蒲洋洪温振
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐凯凯
优先权 ：
CN202010467547.8
主分类号 ：
H01L21/677
IPC分类号 ：
H01L21/677 H01L21/683 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/677
用于传送的，例如在不同的工作站之间
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-07-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/677
申请日 : 20200528
申请日 : 20200528
2021-06-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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