本发明公开了一种PECVD表面镀膜的上下料方法，包括石墨舟就位、石墨舟上缓存架、石墨舟上推舟机构、进舟前镀膜检测、石墨舟进反应室、石墨舟出反应室、石墨舟上传送机构、取片前镀膜检测、石墨舟返回插取片机等步骤。本发明在石墨舟的必经之路上增加两步是否镀膜检测步骤，其一用于检测推舟机构上即将进入反应室内的石墨舟内硅片是否已经进行镀膜，避免出现反应室内出现二次镀膜，其二是用于检测传送机构上将要进入插取片机的硅片是否的镀膜，避免没有进行镀膜的硅片流入下一道工序，从而确保每一舟硅片完成镀膜，而且没有重复镀膜，保证了生产流程的顺畅，硅片的效率更加稳定，提升了电池片的质量。