一种应用于小芯片的背面研磨优化方法及装置
授权
摘要
本发明公开了一种应用于小芯片的背面研磨优化方法及装置，所述方法包括：提供多组测试晶圆；在正面进行预切割操作，并贴上研磨保护膜，依次对测试晶圆的背面进行研磨处理，获取第一状态信息；其中晶粒第一状态信息最好的测试晶圆所对应的研磨保护膜为预设研磨保护膜；再次提供多组测试晶圆，对测试晶圆正面进行预切割操作，并贴上预设研磨保护膜；获取多组研磨参数，并对测试晶圆分别进行研磨，获取第二状态信息；其中晶粒第二状态信息最好的测试晶圆所所对应的研磨参数为预设研磨参数，通过对研磨保护膜和研磨参数的合理选择，能减少在背部研磨过程中出现飞晶、裂晶等情况，提高背部研磨的质量，保护了研磨机。
基本信息
专利标题 ：
一种应用于小芯片的背面研磨优化方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111883448A
申请号 ：
CN202010559436.X
公开（公告）日 ：
2020-11-03
申请日 ：
2020-06-18
授权号 ：
CN111883448B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
刘凤方梁洪任超李春阳刘明明梁于壕
申请人 ：
宁波芯健半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市杭州湾新区庵东工业园区华兴地块中横路18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN202010559436.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/304 B24B37/04 B24B37/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-11-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20200618
申请日 : 20200618
2020-11-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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