一种三氧化二镓日盲紫外探测器及其制备方法
授权
摘要
本发明提供了一种Ga2O3紫外探测器，包括依次叠加设置的衬底、Ga2O3：Zn薄膜和金属叉指电极。本申请还提供了一种Ga2O3紫外探测器的制备方法。本发明提供的Ga2O3紫外探测器的Ga2O3薄膜层具有结晶质量高、吸收截至边陡峭等特点，进而使包含Ga2O3薄膜层的紫外探测器同时具有非常高的响应速度和较低的暗电流。
基本信息
专利标题 ：
一种三氧化二镓日盲紫外探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111628019A
申请号 ：
CN202010598387.0
公开（公告）日 ：
2020-09-04
申请日 ：
2020-06-28
授权号 ：
CN111628019B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
刘可为孙璇申德振陈星张振中李炳辉
申请人 ：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请人地址 ：
吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
李伟
优先权 ：
CN202010598387.0
主分类号 ：
H01L31/032
IPC分类号 ：
H01L31/032 H01L31/108 H01L31/18 C23C16/40
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-09-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/032
申请日 : 20200628
申请日 : 20200628
2020-09-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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