一种钼钨溅射靶材及其制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种钼钨溅射靶材及其制备方法，其相对密度为99.0‑99.5％，氧含量为350‑600ppm，原料由纯度≥4N的三氧化钨粉和纯度≥3N的钼粉组成，且三氧化钨粉的含量为15‑20wt％，余量为钼粉，该三氧化钨粉的粒径为7‑10μm，该钼粉的粒径为4.5‑6.5μm。本发明适用于制备平面显示器，组织均匀，无孔洞，且氧含量低。
基本信息
专利标题 ：
一种钼钨溅射靶材及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111893442A
申请号 ：
CN202010695438.1
公开（公告）日 ：
2020-11-06
申请日 ：
2020-07-17
授权号 ：
CN111893442B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
陈金李保强刘文迪黄志民
申请人 ：
厦门虹鹭钨钼工业有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市集美北路工业区连胜路339号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
张松亭
优先权 ：
CN202010695438.1
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 B22F9/04 B22F9/22 B22F3/04 B22F3/10 B22F3/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-11-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20200717
申请日 : 20200717
2020-11-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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