一种掺镓背场的P型掺镓PERC电池及其制备方法
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摘要
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种掺镓背场的P型掺镓PERC电池及其制备方法；包括P型掺镓硅片衬底，设置在衬底背面的氧化镓层，设置在氧化镓层上的氮化硅层，所述氧化镓层、氮化硅层与衬底之间设置有局部钝化场，即掺镓背场，设置在氮化硅层上的背电极，所述背电极通过掺镓背场与硅片形成欧姆接触；本发明中通过在P型PERC中导入低衰减的掺镓硅片，利用氧化镓对其硅表面形成钝化效果，同时使用激光掺杂技术，形成较强的背场效果，进一步减少少数载流子复合，从而克服现有的P型PERC电池，背面背场只能用铝浆形成，不能有效掺入硼加强背场效果的不足。
基本信息
专利标题 ：
一种掺镓背场的P型掺镓PERC电池及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112002771A
申请号 ：
CN202010860288.5
公开（公告）日 ：
2020-11-27
申请日 ：
2020-08-25
授权号 ：
CN112002771B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
万义茂胡玉婷袁声召于元元杨斌庄宇峰张文超
申请人 ：
东方日升（常州）新能源有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市金坛区直溪镇工业集中区水南路1号
代理机构 ：
南京中高专利代理有限公司
代理人 ：
祝进
优先权 ：
CN202010860288.5
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/0216 H01L31/068 H01L31/18
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2020-12-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0224
申请日 : 20200825
申请日 : 20200825
2020-11-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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