一种P型掺镓硅单晶的生长方法
公开
摘要
本发明涉及一种P型掺镓硅单晶的生长方法，属于直拉单晶硅技术领域。本发明采用直拉法进行硅单晶的生长，长晶方法依次包括加料、熔料、引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾阶段，其中收尾阶段采用晶体只旋转不拉伸，坩埚下降的收尾方式；每七个单晶硅棒为一组，每组的第1～6个单晶硅棒生长方法中加料时，添加掺杂剂固态镓；每组的第7个单晶硅棒生长方法中加料时，不添加掺杂剂镓。本发明通过控制加料阶段掺杂浓度及拉晶工艺参数来控制晶体的电阻率，收尾段采用锅降方式降低晶体长生位错、断胞的可能性，提升晶体质量；能够连续生长得到整棒电阻率范围窄(0.4～1.25Ω·cm)、氧杂质浓度低(＜14ppm)、碳杂质浓度低(＜1ppm)、少子寿命长(＞140μs)的A级优质单晶硅棒。
基本信息
专利标题 ：
一种P型掺镓硅单晶的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114592236A
申请号 ：
CN202210254705.0
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕国强李太赵亮马文会李绍元张梦宇黄振玲
申请人 ：
昆明理工大学
申请人地址 ：
云南省昆明市五华区学府路253号
代理机构 ：
天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱维
优先权 ：
CN202210254705.0
主分类号 ：
C30B15/04
IPC分类号 ：
C30B15/04 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料，例如用于n-p结的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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