一种高强高导电石墨烯薄膜的制备方法

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摘要

一种高强高导电石墨烯薄膜的制备方法，将氧化石墨烯(GO)溶液经真空抽滤制得自支撑GO薄膜；在正交双轴外力牵引下，将该GO薄膜浸泡在10,12‑二十五碳二炔‑1‑醇(PCO)溶液中进行化学交联，再紫外光照得到共价交联的取向的氧化石墨烯(GO‑PCO)薄膜；继续在正交双轴外力牵引下，将GO‑PCO薄膜浸泡在氢碘酸和乙醇的混合溶液中进行化学还原，得到共价交联的取向的石墨烯(G‑PCO)薄膜；继续在正交双轴外力牵引下，将G‑PCO薄膜依次浸泡在1‑芘丁酸N‑羟基琥珀酰亚胺酯和1‑氨基芘溶液中，制得高强高导电石墨烯(SB‑BS‑rGO)薄膜。

基本信息

专利标题：

一种高强高导电石墨烯薄膜的制备方法

专利标题（英）：

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公开（公告）号：

CN112174120A

申请号：

CN202010888420.3

公开（公告）日：

2021-01-05

申请日：

2020-08-28

授权号：

CN112174120B

授权日：

2022-05-03

发明人：

程群峰万思杰

申请人：

北京航空航天大学

申请人地址：

北京市海淀区学院路37号

代理机构：

北京科迪生专利代理有限责任公司

代理人：

安丽

优先权：

CN202010888420.3

主分类号：

C01B32/184

IPC分类号：

C01B32/184