低氮晶硅太阳能电池片酸抛光方法及其抛光液
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种低氮晶硅太阳能电池片酸抛光方法及其抛光液，将扩散后的制绒片放置于酸抛光液中，在温度5℃～45℃下刻蚀30s～240s，对所述制绒片的绒面进行抛光处理，使绒面上形成有直径为2～8微米的凹坑和底边边长为2～8微米，高度为0.1～1.5微米的塔丘，提升绒面平整度。本发明提供的低氮晶硅太阳能电池片酸抛光方法相较于常规酸抛工艺，氮含量显著降低，废液处理成本低，对环保压力小，与太阳能电池产线刻蚀工艺兼容，无需新增抛光设备，降低成本，且工艺简单，抛光效果好，相比常规酸抛结构的粗糙度要低，平整度更高，提升钝化效果和反射率，有效提升电池开压和背面反射，增加短路电流，提升了电池效率。
基本信息
专利标题 ：
低氮晶硅太阳能电池片酸抛光方法及其抛光液
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267583A
申请号 ：
CN202010976332.9
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张小虎刘尧平陈伟肖川王燕杜小龙
申请人 ：
松山湖材料实验室
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
代理机构 ：
深圳市千纳专利代理有限公司
代理人 ：
陈培琼
优先权 ：
CN202010976332.9
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L31/18 C09G1/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20200916
申请日 : 20200916
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
