不含氮的晶硅太阳能电池片抛光方法及其抛光液
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种不含氮的晶硅太阳能电池片抛光方法及其抛光液，抛光液包括氟离子源、含氯的离子源、氧化剂和去离子水。将扩散后的SE单晶硅片放置于所述抛光液中，在温度8℃～40℃下刻蚀30s～240s，对所述SE单晶硅片的绒面进行刻蚀抛光处理，使得金字塔形貌结构上部分被去除，留下金字塔塔基，本发明提供的抛光方法相比于碱抛工艺，工艺简单稳定，与目前的产线刻蚀工艺兼容，无需新增抛光设备，刻蚀、抛光和圆滑修饰效果好，能够圆滑金字塔顶尖和底部以及钝化四棱台平面，反射率可控，而且所采用的抛光液配方合理，不含氮，废液处理成本低，对环保压力小，原料化学药液成本低，易于获得，降低生产成本的同时也减少了对环境的污染。
基本信息
专利标题 ：
不含氮的晶硅太阳能电池片抛光方法及其抛光液
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267582A
申请号 ：
CN202010974842.2
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈伟刘尧平肖川张小虎王燕杜小龙
申请人 ：
松山湖材料实验室
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
代理机构 ：
深圳市千纳专利代理有限公司
代理人 ：
陈培琼
优先权 ：
CN202010974842.2
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L31/18 C09G1/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20200916
申请日 : 20200916
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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