一种SiC平面MOSFET及其自对准工艺
授权
摘要
本申请涉及功率器件技术领域，具体涉及一种SiC平面MOSFET及其自对准工艺，旨在解决现有技术中由于SiC硬度过高传统平面Si基自对准工艺无法实现形成的缺陷，其技术要点在于：采用湿法腐蚀工艺，将SiO2层垂直的侧壁腐蚀出倾斜的角度，以此作为P‑well的注入窗口，通过掺杂方法在所述晶圆衬底的外延层表面形成P‑well区。通过沉积的SiO2作为SourceN+的注入掩蔽，然后经过湿法腐蚀，利用各向同性的腐蚀特性，在较厚的掩蔽层侧壁上腐蚀出一定的倾斜角度，以此作为P‑well注入窗口，最终形成导电沟道。
基本信息
专利标题 ：
一种SiC平面MOSFET及其自对准工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112086360A
申请号 ：
CN202011034231.6
公开（公告）日 ：
2020-12-15
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
CN112086360B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
夏华忠黄传伟诸建周吕文生谈益民
申请人 ：
江苏东海半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
代理机构 ：
广东有知猫知识产权代理有限公司
代理人 ：
闫日旭
优先权 ：
CN202011034231.6
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L29/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2022-03-08 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 21/336
变更事项 : 申请人
变更前 : 江苏东海半导体科技有限公司
变更后 : 江苏东海半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
变更后 : 214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
变更事项 : 申请人
变更前 : 江苏东海半导体科技有限公司
变更后 : 江苏东海半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
变更后 : 214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
2021-01-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20200927
申请日 : 20200927
2020-12-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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