一种新型晶硅SiON双面电池背钝化工艺
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摘要
本发明涉及太阳能电池生产领域，特别涉及双面太阳能电池生产领域。一种新型晶硅SiON双面电池背钝化工艺，在背面晶硅基体上直接制备氮氧化硅层，然后在进行退火，最后再制备氮化硅层；氮氧化硅层为单层膜，采用PECVD的方式沉积，工艺参数为，压力1500‑2000mTorr，温度450‑500℃，功率为8500‑12000W,脉冲开关比为1:10至1:16，所通SiH4/NH3/N2O=1.65/1/4至2.5/1/5,且三种气体SiH4、NH3、N2O总流量需大于7000sccm，时间40‑60s。本发明不仅有效降低了双面电池的背面钝化制造成本，同时创造性的解决钝化SiON膜层变薄后钝化效果变差的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种新型晶硅SiON双面电池背钝化工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112382696A
申请号 ：
CN202011100277.3
公开（公告）日 ：
2021-02-19
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
CN112382696B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
杨飞飞张波鲁贵林赵科巍郭卫张云鹏李雪方郭丽杜泽霖李陈阳吕爱武
申请人 ：
山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请人地址 ：
山西省长治市郊区漳泽新型工业园区
代理机构 ：
太原市科瑞达专利代理有限公司
代理人 ：
李富元
优先权 ：
CN202011100277.3
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/068 H01L31/0216 C23C16/30 C23C16/515 C23C16/52 C23C16/56
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-03-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20201015
申请日 : 20201015
2021-02-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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