寄生电容的检测方法、存储器和可读存储介质
实质审查的生效
摘要

本公开提供了一种寄生电容的检测方法、存储器和可读存储介质,涉及半导体技术领域。其中,检测方法包括:提供多个用于测试的半导体器件,各所述半导体器件中源极、漏极、有源层、栅极、导线的数量以及导线的截面积相同,各所述半导体器件中导线的长度各不相同;根据多个所述半导体器件的多个总电容值与多个所述导线的长度确定半导体器件中单位长度导线与栅极之间的电容,所述单位长度导线与栅极之间的电容为单位长度寄生电容;确定半导体待测器件中对应的导线长度;根据单位长度寄生电容与半导体待测器件中对应的导线长度,确定半导体待测器件的寄生电容。通过本公开的技术方案,能够得到具有较高的检测精度的寄生电容。

基本信息
专利标题 :
寄生电容的检测方法、存储器和可读存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446378A
申请号 :
CN202011108280.X
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2020-10-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
钱仕兵
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 :
孙宝海
优先权 :
CN202011108280.X
主分类号 :
G11C29/50
IPC分类号 :
G11C29/50  G11C29/56  G01R27/26  G01R31/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验;备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/50
容限测试,例如,竞争、电压或电流测试
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/50
申请日 : 20201016
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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