相干性可调的半导体激光器及应用
实质审查的生效
摘要
一种相干性可调的半导体激光器及应用，该半导体激光器包括变形谐振腔，包括第一共心腔、衔接腔和第二共心腔；少模电极注入区，设置在变形谐振腔上表面，用于产生高相干性的激光；多模电极注入区，设置在变形谐振腔上表面少模电极注入区之外的区域，用于产生低相干性的激光；隔离层，设置在变形谐振腔侧壁上；第一金属层，设置在隔离层上；第二金属层，设置在第一金属层上；以及第三金属层，设置在第二金属层上。本发明提供的相干性可调的半导体激光器，通过在腔的上表面引入图形电极以及分区注入，且在不同电极区域的注入的电流大小不同，使得激光器可以实现相干性可调。
基本信息
专利标题 ：
相干性可调的半导体激光器及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114389143A
申请号 ：
CN202011128469.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑婉华徐林海王宇飞贾宇飞
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
任岩
优先权 ：
CN202011128469.5
主分类号 ：
H01S5/042
IPC分类号 ：
H01S5/042 H01S5/10
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/042
申请日 : 20201020
申请日 : 20201020
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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