3D NAND闪存存储器元件
公开
摘要
本发明公开一种3D NAND闪存存储器元件包括：基底、基底上的源极线、源极线上的堆叠结构、堆叠结构上的位线以及柱状通道部。堆叠结构包括第一选择晶体管、多个存储单元与第二选择晶体管，其中第一选择晶体管包括第一选择栅极、存储单元包括控制栅极、第二选择晶体管包括第二选择栅极。柱状通道部自源极线轴向延伸并贯穿堆叠结构，以耦接至位线。所述第一选择晶体管包括改良萧特基能障(MSB)晶体管，以生成多数载流子直接隧穿(Direct Tunneling)至所述柱状通道部来执行程序操作或者抹除操作。
基本信息
专利标题 ：
3D NAND闪存存储器元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300469A
申请号 ：
CN202011153992.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王子嵩
申请人 ：
力晶积成电子制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011153992.3
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11578 G11C11/40
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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