碳化硅电池
授权
摘要
本发明提供一种碳化硅电池，涉及太阳能光伏技术领域。碳化硅电池包括：硅基底，硅基底的向光面上的碳化硅吸收层；硅基底具有多个第一导电孔，第一导电电极形成于第一导电孔内，第一导电电极用于传输碳化硅吸收层产生的第一类载流子；硅基底为本征或轻掺杂的硅；碳化硅吸收层包含具有中间带的碳化硅材料。碳化硅吸收层位于硅基底的向光面，碳化硅吸收层包含具有中间带的碳化硅材料，简化了碳化硅电池的生产工艺，具备较高的生产效率，使得碳化硅电池量产变得容易。硅基底上的第一导电孔，以及位于第一导电孔内的第一导电电极传输碳化硅吸收层产生的第一类载流子，可以降低串联电阻。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112259630A
申请号 ：
CN202011159794.8
公开（公告）日 ：
2021-01-22
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
CN112259630B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
吴兆徐琛李子峰解俊杰
申请人 ：
隆基绿能科技股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市长安区航天中路388号
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵娟
优先权 ：
CN202011159794.8
主分类号 ：
H01L31/0747
IPC分类号 ：
H01L31/0747 H01L31/0216 H01L31/0236 H01L31/18
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法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-02-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0747
申请日 : 20201026
申请日 : 20201026
2021-01-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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