一种微机电探针及制作方法
授权
摘要
本发明的技术领域为半导体测试领域,提供了一种微机电探针及制作方法,其方法包括步骤:在位于承载板的双牺牲胶层中第一牺牲胶层上进行磁控真空溅射金属种子层;在所述金属种子层上旋涂光刻胶层形成所述双牺牲胶层的第二牺牲胶层,并制作微机电探针层;通过不同的分离方式剥除所述第一牺牲胶层、所述金属种子层和所述第二牺牲胶层,以获得微机电探针。本发明使用特殊设计的双牺牲层剥离结构,在双牺牲层之间溅射金属导电种子层,剥离时采用金属差分蚀刻及特殊设计的底胶剥离工艺,使探针与载板剥离时无需施加机械力,金属结构剥离不会产生随机额外变形与应力,提高大规模制备微机电探针的均一性与一致性,显著提高微机电探针的疲劳使用寿命。
基本信息
专利标题 :
一种微机电探针及制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112362925A
申请号 :
CN202011162214.0
公开(公告)日 :
2021-02-12
申请日 :
2020-10-27
授权号 :
CN112362925B
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
陶克文罗雄科
申请人 :
上海泽丰半导体科技有限公司
申请人地址 :
上海市徐汇区田州路159号15单元1302室
代理机构 :
上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
杨用玲
优先权 :
CN202011162214.0
主分类号 :
G01R1/067
IPC分类号 :
G01R1/067 G01R31/26 B81B7/02 B81C1/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R1/00
包括在G01R5/00至G01R13/00或G01R31/00组中的各类仪器或装置的零部件
G01R1/02
一般结构零部件
G01R1/06
测量引线;测量探针
G01R1/067
测量探针
法律状态
2022-05-17 :
授权
2021-03-05 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 1/067
申请日 : 20201027
申请日 : 20201027
2021-02-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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