本发明提供了一种半导体测试的多元合金探针及制作方法，包括步骤：将合金材料进行压片，获得预设厚度的合金片材；在每个所述合金片材上制作对位孔，所述对位孔作为切割探针的针尖时的对位靶标；对每个制作对位孔后的合金片材对应所述针尖的区域进行半蚀刻处理；根据所述探针的目标尺寸，通过超快激光切割所述合金片材，以获得连接的多个所述探针；基于连接的多个所述探针的对位切割支撑连接点进行同步切割，以获得独立的多个所述探针。通过本发明的制作半导体测试探针突破了MEMS探针工艺对电镀材料与性能的局限，并且能够实现半导体测试探针的亚微米加工精度。