一种基片集成的高隔离度介质天线

授权

摘要

本发明公开了一种基片集成的高隔离度介质天线，顶层金属结构位于第一介质基板的上表面，顶层金属结构由平行于x轴的两个金属条带和平行于y轴的金属条带构成工字型平面去耦结构。侧面金属结构由平行于x轴的四个金属条带和平行于y轴的两个金属条带构成侧边去耦结构，平行于x轴的四个金属条带位于两个矩形介质片相对的两个内侧面，平行于y轴的两个金属条带位于介质条带的相对的两个侧面。平面去耦结构与侧边去耦结构连接导通，构成天线的去耦结构，改变两个介质天线单元间的部分耦合路径，形成宽带高隔离的去耦效果。

基本信息

专利标题：

一种基片集成的高隔离度介质天线

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112259960A

申请号：

CN202011164157.X

公开（公告）日：

2021-01-22

申请日：

2020-10-27

授权号：

CN112259960B

授权日：

2022-05-20

发明人：

施金李峻潇徐凯陈燕云郁梅张凌燕王磊

申请人：

南通大学;南通先进通信技术研究院有限公司

申请人地址：

江苏省南通市崇川区啬园路9号

代理机构：

南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

吴旭

优先权：

CN202011164157.X

主分类号：

H01Q1/38

IPC分类号：

H01Q1/38 H01Q1/52 H01Q9/04 H01Q1/50 H01Q25/04