基于双层基片集成的漏波天线

授权

摘要

本实用新型公开了一种基于双层基片集成的漏波天线，包括上下两层基片，所述的基片皆为两层覆铜层中间夹有介质层的结构，上层基片包括上层表层覆铜层、上层介质层、上层底层覆铜层；设有多排平行金属过孔贯穿上层基片，形成多排表面为矩形的腔体，即上层基片集成波导；下层基片包括下层表层覆铜层、下层介质层、下层底层覆铜层；设有多排平行金属过孔贯穿下层基片，形成多排表面为平行四边形的腔体，即下层基片集成波导；上层底层覆铜层及下层表层覆铜层相应位置分别设有耦合槽，将上下两层基片耦合；上层表层覆铜设有多排辐射槽。本实用新型可以实现在更小的带宽，扫描更大的角度，同时加工容易，制作方便，非常适合通讯设备和雷达等扫描仪器的使用。

基本信息

专利标题：

基于双层基片集成的漏波天线

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021642651.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-10

授权号：

CN212380573U

授权日：

2021-01-19

发明人：

何赛灵骆鹏何旺刘辉

申请人：

浙江大学

申请人地址：

浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

林松海

优先权：

CN202021642651.8

主分类号：

H01Q13/22

IPC分类号：

H01Q13/22 H01Q21/00