一种C轴造孔石墨及其制备方法和应用
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种C轴造孔石墨，所述C轴造孔石墨由基本层状结构单元构成表观颗粒结构，所述基本层状结构单元在C轴方向上有孔隙，用作嵌入型电极活性材料，具有高倍率性能。
基本信息
专利标题 ：
一种C轴造孔石墨及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114477158A
申请号 ：
CN202011165483.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金先波王志勇张春燕
申请人 ：
武汉大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
代理机构 ：
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
吴楚
优先权 ：
CN202011165483.2
主分类号 ：
C01B32/20
IPC分类号 ：
C01B32/20 C01B32/23 H01M4/583
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/20
石墨
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/20
申请日 : 20201027
申请日 : 20201027
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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