一种发光器件的寿命测试方法、寿命测试装置及终端设备
公开
摘要
本申请适用于发光二极管技术领域，提供了一种发光器件的寿命测试方法、寿命测试装置及终端设备，所述方法包括：获取驱动信号值和参考亮度，所述参考亮度为所述发光器件在驱动信号下的亮度，所述驱动信号值小于预设的信号阈值；向所述发光器件输出测试信号，并将所述测试信号的大小从所述驱动信号值逐步调高至预设的标准信号值；通过所述采集装置采集所述发光器件发射的光信号，获得与所述光信号对应的实时光电流；根据所述实时光电流和所述参考亮度得到所述发光器件的实时亮度，以确定所述发光器件的寿命。通过上述方法，可以准确测试出发光不均匀的发光器件的寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种发光器件的寿命测试方法、寿命测试装置及终端设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114441916A
申请号 ：
CN202011221551.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贺晓光芦子哲洪佳婷柳春美严围
申请人 ：
武汉国创科光电装备有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市经济技术开发区川江池二路28号3号楼A503室
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
肖遥
优先权 ：
CN202011221551.2
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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