一种薄膜晶体管的特性预测方法、装置及系统
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种薄膜晶体管的特性预测方法、装置及系统,所述方法包括:将用于制作待测薄膜晶体管的工艺条件、所述待测薄膜晶体管的二维结构参数以及物理参数输入至预先建立的器件特性模型,确定所述待测薄膜晶体管在标准温度值下的第一伏安特性曲线以及工作功率;将所述工作功率以及所述待测薄膜晶体管的三维结构参数和热量参数输入至预先建立的温度预测模型,确定所述待测薄膜晶体管在所述工作功率下的温度分布以及最高温度值;将所述最高温度值输入至所述器件特性模型,确定所述待测薄膜晶体管在所述最高温度值下的第二伏安特性曲线;根据所述第二伏安特性曲线与所述第一伏安特性曲线间的偏差,确定所述待测薄膜晶体管的特性变化趋势。
基本信息
专利标题 :
一种薄膜晶体管的特性预测方法、装置及系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114492276A
申请号 :
CN202011267528.7
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2020-11-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
贾倩彭锦涛林鸿辉
申请人 :
京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 :
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 :
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 :
张佳
优先权 :
CN202011267528.7
主分类号 :
G06F30/367
IPC分类号 :
G06F30/367 G06F30/23 G06T17/00 G06F119/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/367
设计验证,例如,采用仿真,集成电路仿真程序,直接方法或松弛方法
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/367
申请日 : 20201113
申请日 : 20201113
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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