太阳能电池的监测方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种太阳能电池的监测方法，包括选取测试片，在所述测试片的表面制备掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层与测试片的掺杂类型一致；再采用四探针法测得测试片的方阻Rtotal，结合所述测试片的自身方阻RSi计算得到所述掺杂多晶硅层的方阻Rpoly‑Si。本申请采用四探针法对掺杂多晶硅层的方阻进行测试，现场反馈更为及时；并通过选取合适的测试片对掺杂多晶硅层的掺杂浓度与制备工艺进行监测，避免硅片自身电阻率分布不均影响测试结果，能够有效提高测试准确性。
基本信息
专利标题 ：
太阳能电池的监测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520155A
申请号 ：
CN202011291413.1
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈雯张临安邓伟伟
申请人 ：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
段友强
优先权 ：
CN202011291413.1
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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