核壳型金属氧化物及制备方法、发光二极管
公开
摘要
本申请涉及金属氧化物材料技术领域，尤其涉及一种核壳型金属氧化物及制备方法、发光二极管。所述核壳型金属氧化物包括：金属氧化物，以及包覆在所述金属氧化物表面的至少一层壳层，形成所述壳层的壳层材料包括无限配位聚合物，且所述无限配位聚合物包括磁性金属离子与有机配体配位形成的结构单元。本申请提供的核壳型金属氧化物，成膜能力提高。
基本信息
专利标题 ：
核壳型金属氧化物及制备方法、发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583066A
申请号 ：
CN202011295658.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
聂志文
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄志云
优先权 ：
CN202011295658.1
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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