核壳型金属氧化物及制备方法、发光二极管
公开
摘要
本申请涉及显示技术领域，提供了一种核壳型金属氧化物及其制备方法、发光二极管。所述核壳型金属氧化物包括：金属氧化物，以及包覆在所述金属氧化物表面的至少一层壳层，所述壳层具有多孔，且形成所述壳层的壳层材料包括磁性金属氧化物和绝缘金属氧化物。本申请提供的电子传输材料，具有电子注入传输能力，且有利于平衡光电器件中电子与空穴的迁移率。
基本信息
专利标题 ：
核壳型金属氧化物及制备方法、发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583069A
申请号 ：
CN202011295813.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
聂志文
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄志云
优先权 ：
CN202011295813.X
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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