量子点复合膜的图案化方法和应用
实质审查的生效
摘要
本发明中公开了一种量子点复合膜的图案化方法和应用，将包括钙钛矿量子点前驱体和聚合物基质共混后，通过加热熔融、挤出后3D打印形成图案化的量子点复合膜。该图案化方法通过熔融挤出法，使得量子点前驱体原位生长得到钙钛矿量子点复合膜，原位生长过程中不使用溶剂，对环境友好，且得到的量子点复合膜中量子点分散均匀、团聚少，光学性能优异且稳定性好。并且该图案化方法可应用于显示、照明等领域，尤其Mini/Micro LED显示领域。
基本信息
专利标题 ：
量子点复合膜的图案化方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520213A
申请号 ：
CN202011310936.6
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩登宝钟海政张慧灵王良吉
申请人 ：
北京航空航天大学合肥创新研究院
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站高新区文忠路999号
代理机构 ：
合肥天明专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张梦媚
优先权 ：
CN202011310936.6
主分类号 ：
H01L25/00
IPC分类号 ：
H01L25/00 H01L25/075 B29D7/01
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/00
申请日 : 20201120
申请日 : 20201120
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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