纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置

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摘要

本发明涉及显示领域，尤其涉及纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置。所述的纳米粒子层图案化的方法，包括以下步骤：形成修饰有第一基团的基板；采用光照处理所述基板的预设区域，所述预设区域内的所述第一基团在光照条件下反应，生成第二基团；在所述预设区域表面形成纳米粒子层，所述预设区域内的第二基团与纳米粒子的配体连接；去除纳米粒子层的未与所述第二基团结合的纳米粒子，完成纳米粒子层的图案化。本发明不需要采用喷墨打印法即可完成纳米粒子层，特别是量子点层的图案化，能够形成高分辨率、性能良好的纳米粒子层。

基本信息

专利标题：

纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110289363A

申请号：

CN201910576880.X

公开（公告）日：

2019-09-27

申请日：

2019-06-28

授权号：

CN110289363B

授权日：

2022-06-03

发明人：

陈卓毛德丰

申请人：

京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司

申请人地址：

北京市朝阳区酒仙桥路10号

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

刘伟

优先权：

CN201910576880.X

主分类号：

H01L51/50

IPC分类号：

H01L51/50 H01L51/56 H01L27/32