于失效分析中观察失效区域的样品制作方法
公开
摘要
本发明公开一种于失效分析中观察失效区域的样品制作方法，包括以下步骤，首先，提供一芯片，将进行失效分析。其次，在该芯片周围点上保护胶固定在一小基板上，使该芯片在研磨时不会造成破损。其次，将该芯片倒置固定在一支撑基板上。最后，灌入卸取胶使该芯片能固定在一承载基板上，且在进行失效分析中在判断出失效区域后能将该芯片卸取进而确认其失效原由。本发明方法能制作于失效分析中观察失效区域的样品，以便对于特定失效区域进行后续芯片结构及失效原由确认。
基本信息
专利标题 ：
于失效分析中观察失效区域的样品制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114609502A
申请号 ：
CN202011341189.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林倖妍邓雅心唐忠毅
申请人 ：
华星光通科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011341189.2
主分类号 ：
G01R31/28
IPC分类号 ：
G01R31/28 G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试，例如用信号故障寻测器
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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