一种碳化硅粉投料方法及装置与应用
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摘要

本发明提供了一种碳化硅粉投料方法及装置,该方法包括以下步骤:(1)将待填料容器移至于投料装置内;(2)向投料装置内通入保护气,在保护气气氛下,通过投料装置上的进料通道向待填料容器进料;保护气选自氢气和惰性气体中的至少一种;该装置包括投料腔体,投料腔体上开设有进气口,进气口连接有保护气管路;投料腔体上安装有进料通道,进料通道贯穿投料腔体顶部并延伸到投料腔体内部。通过在流通有保护气的投料装置内进料,可有效隔绝空气中的氮气在坩埚或者碳化硅原料中的吸附,并通过优化保护气的流量等参数,保证碳化硅粉料中的氮气充分去除,有效降低了得到的碳化硅晶体的氮含量,得到的晶体的位错、多型等缺陷少,晶体的生长质量高。

基本信息
专利标题 :
一种碳化硅粉投料方法及装置与应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112725887A
申请号 :
CN202011545378.1
公开(公告)日 :
2021-04-30
申请日 :
2020-12-23
授权号 :
CN112725887B
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
刘星李加林刘圆圆周敏
申请人 :
山东天岳先进科技股份有限公司
申请人地址 :
山东省济南市槐荫区天岳南路99号
代理机构 :
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
冯妙娜
优先权 :
CN202011545378.1
主分类号 :
C30B23/00
IPC分类号 :
C30B23/00  C30B29/36  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-04-08 :
授权
2021-05-21 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 23/00
申请日 : 20201223
2021-04-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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